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單片機(jī)芯片附近為什么放0.1uF的電容?
語(yǔ)音芯片IC附近為什么放0.1uF的電容?1uF不行嗎? 我們?cè)陔娫礊V波電路上可以看到各種各樣的電容,100uF、10uF、100nF、10nF不同的容值,那么這些參數(shù)是如何確定的? 數(shù)字電路要運(yùn)行穩(wěn)定可靠,電源一定要”干凈“,并且能量補(bǔ)充一定要及時(shí),也就是濾波去耦一定要好。什么是濾波去耦,簡(jiǎn)單的說(shuō)就是在芯片不需要電流的時(shí)候存儲(chǔ)能量,在需要電流的時(shí)候又能及時(shí)地補(bǔ)充能量。有讀者看到這里會(huì)說(shuō),這個(gè)職責(zé)不是DC/DC、LDO的嗎?對(duì),在低頻的時(shí)候它們可以搞定,但高速的數(shù)字系統(tǒng)就不一樣了。 先來(lái)看看電容,電容的作用簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是存儲(chǔ)電荷。我們都知道在電源中要加電容濾波,在每個(gè)芯片的電源腳放置一個(gè)0.1uF的電容去耦。但是,怎么有些板子芯片的電源腳旁邊的電容是0.1uF的或者0.01uF的,有什么講究嗎? 要搞懂這個(gè)道道就要了解電容的實(shí)際特性。理想的電容它只是一個(gè)電荷的存儲(chǔ)器,即C,而實(shí)際制造出來(lái)的電容卻不是那么簡(jiǎn)單。分析電源完整性的時(shí)候我們常用的電容模型如圖1所示。 圖片 圖1單片機(jī)芯片 圖1中,ESR是電容的串聯(lián)等效電阻,ESL是電容的串聯(lián)等效電感,C才是真正的理想電容。ESR和ESL是由電容的制造工藝和材料決定的,沒(méi)法消除。那這兩個(gè)東西對(duì)電路有什么影響?ESR影響電源的紋波,ESL影響電容的濾波頻率特性。 我們知道: 電容的容抗 Zc=1/ωC 電感的感抗 Zl=ωL,ω=2πf 實(shí)際電容的復(fù)阻抗為: Z=ESR+jωL-1/jωC =ESR+j2πf L-1/j2πf C 可見(jiàn),當(dāng)頻率很低的時(shí)候是電容起作用,而頻率高到一定程度電感的作用就不可忽視了;再高的時(shí)候電感就起主導(dǎo)作用了,電容就失去濾波的作用了。所以記住,高頻的時(shí)候電容就不是單純的電容了。實(shí)際電容的濾波曲線(xiàn)如圖2所示。 圖片 圖2定時(shí)IC 上面說(shuō)了,電容的等效串聯(lián)電感是由電容的制造工藝和材料決定的。實(shí)際的貼片陶瓷電容,ESL從零點(diǎn)幾nH到幾個(gè)nH不等,封裝越小ESL就越小。 從圖2中看出,電容的濾波曲線(xiàn)并不是平坦的,它像一個(gè)’V’,也就是說(shuō)有選頻特性。有時(shí)候我們希望它越平越好(前級(jí)的板級(jí)濾波),而有時(shí)候希望它越尖越好(濾波或陷波)。 影響這個(gè)特性的是電容的品質(zhì)因素Q: Q=1/ωCESR ESR越大,Q就越小,曲線(xiàn)就越平坦;反之ESR越小,Q就越大,曲線(xiàn)就越尖。 通常鉭電容和鋁電解有比較小的ESL,而ESR大,所以鉭電容和鋁電解具有很寬的有效頻率范圍,非常適合前級(jí)的板級(jí)濾波。也就是說(shuō),在DC/DC或者LDO的輸入級(jí),常常用較大容量的鉭電容來(lái)濾波。而在靠近芯片的地方放一些10uF和0.1uF的電容來(lái)去耦,陶瓷電容有很低的ESR。 說(shuō)了那么多,那到底在靠近芯片的管腳處放置0.1uF還是0.01uF?下面列出來(lái)給大家參考。 頻率范圍/Hz 電容取值 DC-100K 10uF以上的鉭電容或鋁電解 100K-10M 100nF(0.1uF)陶瓷電容 10M~100M 10nF(0.01uF)陶瓷電容 >100M 1nF(0.001uF)陶瓷電容、PCB電源與地間的電容 所以,以后不要見(jiàn)到什么都放0.1uF的電容,有些高速系統(tǒng)中這些0.1uF的電容根本就起不了作用。 深圳市思科微科技有限公司,專(zhuān)注于語(yǔ)音IC,音效芯片,報(bào)警芯片,小夜燈IC芯片方案,單片機(jī)芯片方案開(kāi)發(fā),咨詢(xún)熱線(xiàn):0755-29124379 |